提速增量降能耗:三星3D闪存开始进入量产阶段
三星已经宣布了其将量产采用新一代3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器。与传统的NAND存储芯片相比,V-NAND闪存的读写速度都要快上1倍、使用寿命达10倍、而能耗亦少了50%。目前,3D芯片所能提供的存储密度,仍与传统的2D结构相同。但在2D结构遇到发展瓶颈时,3D结构就能够更多数量级的额外存储密度。

节能的同时,3D V-NAND Flash的存取速度,比传统的NAND芯片都要快上两倍。
闪存是二十一世纪的奇迹故事之一。虽然它在1980年就已被发明出,但直到1990年代中期投放到市场,它的存储密度仍只有20MB。不过,这20年来,闪存已经多次追逐甚至超越了摩尔定律,其容量已经达到了最







